2N7002E
N沟道,电流:0.34A,耐压:60V产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
封装SOT-23
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))4Ω@4.5V,200mA
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)800pC@4.5V
反向传输电容(Crss)5pF
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)35pF
输出电容(Coss)10pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：4近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥0.167
总 价:
￥0.167
圆盘
数量价格
20￥0.167
200￥0.132
600￥0.112
3000￥0.099
9000￥0.089
21000￥0.084
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