2N7002T-MS
N沟道MOSFET,电流:115mA,耐压:60V产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
封装SOT-523
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)115mA
导通电阻(RDS(on))7.5Ω@10V
耗散功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
反向传输电容(Crss)5pF
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)50pF
输出电容(Coss)25pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：1976近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥0.193
总 价:
￥0.193
圆盘
数量价格
20￥0.193
200￥0.152
600￥0.129
3000￥0.110
9000￥0.098
21000￥0.091
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