ALD110808ASCL
4个N沟道 耐压:10.6V 电流:12mA 电流:3mA产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装管
工作温度0℃~+70℃
类型N沟道
配置-
封装SOIC-16
漏源电压(Vdss)10V
连续漏极电流(Id)12mA
导通电阻(RDS(on))500Ω@4.8V,0.1V
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))820mV@1uA
栅极电荷量(Qg)-
反向传输电容(Crss)0.1pF
数量4个N沟道
输入电容(Ciss)2.5pF
输出电容(Coss)-
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：0制造商标准包装数量
型号暂时无货,可订阅到货通知
近期成交量:0单管
数量价格
1￥112.145
200￥44.748
500￥43.252
1000￥42.515
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