AS4375
P沟道增强型MOSFET,电流:-3A,耐压:-40V产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
封装SOT-23
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
数量-
输入电容(Ciss)573pF
输出电容(Coss)110pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：0制造商标准包装数量
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近期成交量:0单圆盘
数量价格
5￥0.696
50￥0.558
150￥0.488
500￥0.437
3000￥0.328
6000￥0.307
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