CSD22206W
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）5.7 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.05V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）14.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）2275 pF @ 4 V
功率耗散（最大值）1.7W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装9-DSBGA
包装卷带
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)1（无限）
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货：2944近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥5.323
总 价:
￥5.323
卷带（TR）
数量价格
1￥5.323
100￥3.354
250￥2.588
1000￥1.649
工商网监