FDD6030L-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
封装TO-252
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@4.5V,20A
耗散功率(Pd)46W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)33.7nC@10V
反向传输电容(Crss)215pF
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)1.614nF
输出电容(Coss)245pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：0制造商标准包装数量
型号暂时无货,可订阅到货通知
近期成交量:0单圆盘
数量价格
1￥2.397
200￥0.957
500￥0.925
1000￥0.909
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