产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装管
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
封装TO-220F
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))2.5Ω@10V
耗散功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)50nC@450V
反向传输电容(Crss)10pF
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)1.5nF@25V
输出电容(Coss)150pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：67近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥7.436
总 价:
￥7.436
管
数量价格
1￥7.436
10￥6.204
50￥5.522
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