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IKW40N60H3

IKW40N60H3
产品型号IKW40N60H3
品牌JSMSEMI(杰盛微)
包装
描述IKW40N60H3
MR编号M752015735
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 IGBT
包装
封装TO-247
耗散功率(Pd)-
栅极电荷量(Qg)146nC@40A,15V
IGBT类型-
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)40A
栅极阈值电压(Vge(th))6.3V@1mA
输入电容(Cies)2.54nF@25V
开启延迟时间(Td(on))-
关断延迟时间(Td(off))-
正向压降(Vf)2.55V@40A
集射极饱和电压(VCE(sat))1.95V@40A,15V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
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现货:0
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近期成交量:0
数量价格
1¥8.921
10¥8.690
30¥8.547
90¥8.393
制造商标准包装数量
BSM100GB120DN2KInfineon(英飞凌)

¥220.00详细信息

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