ITL12N65R
N沟道,电流:12A,耐压:650V产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装管
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
封装TO-262
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))800mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)40nC@10V
反向传输电容(Crss)9.5pF
输入电容(Ciss)1.993nF
输出电容(Coss)160pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：155近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥4.565
总 价:
￥4.565
管
数量价格
1￥4.565
10￥3.806
50￥3.421
100￥3.047
500￥2.816
1000￥2.695
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