MDD4N65D
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
封装TO-252
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))2.8Ω@10V,2A
耗散功率(Pd)77W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)12nC
反向传输电容(Crss)3.2pF@25V
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)600pF@25V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：1768近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥0.982
总 价:
￥0.982
圆盘
数量价格
5￥0.982
50￥0.793
150￥0.699
500￥0.628
2500￥0.519
5000￥0.491
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