MDD50N03D
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-50℃~+150℃
封装TO-252
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
耗散功率(Pd)28W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)23.6nC@10V
反向传输电容(Crss)164pF
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)1.015nF@15V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：84874近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥0.644
总 价:
￥0.644
圆盘
数量价格
20￥0.644
200￥0.545
600￥0.493
2500￥0.329
10000￥0.314
20000￥0.304
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