MDD50N06D
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-
封装TO-252
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)62.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)-
反向传输电容(Crss)92pF
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)1.889nF@30V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：6930近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥0.839
总 价:
￥0.839
圆盘
数量价格
5￥0.839
50￥0.710
150￥0.645
500￥0.596
2500￥0.515
5000￥0.495
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