MDD80N03D
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-
配置-
封装TO-252
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))3.8mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)44W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)54nC@10V
反向传输电容(Crss)283pF@15V
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)2.504nF@15V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：17近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥1.018
总 价:
￥1.018
圆盘
数量价格
1￥1.018
10￥0.795
30￥0.700
100￥0.581
500￥0.527
1000￥0.495
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