
MHTG1200HSR3
RF MOSFET GAN NI780产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
技术GaN
配置2 个 N 沟道
频率2.4GHz ~ 2.5GHz
功率 - 输出300W
电压 - 额定50 V
安装类型表面贴装型
封装NI-780S-4L
包装卷带
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
现货:0近期成交量:0单
