MMFTN3019E-MS
N沟道,电流:100mA,耐压:30V产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
封装SOT-523
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100mA
导通电阻(RDS(on))8Ω@4V
耗散功率(Pd)150mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V@100uA
栅极电荷量(Qg)-
反向传输电容(Crss)4pF
数量-
输入电容(Ciss)13pF
输出电容(Coss)9pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：1397近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥0.282
总 价:
￥0.282
圆盘
数量价格
20￥0.282
200￥0.222
600￥0.189
3000￥0.152
9000￥0.135
21000￥0.125
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