产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装管
类型N沟道
封装TO-220F
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))950mΩ@10V
耗散功率(Pd)29W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
反向传输电容(Crss)19pF
输入电容(Ciss)1.56nF
输出电容(Coss)136pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：387近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥3.102
总 价:
￥3.102
管
数量价格
1￥3.102
10￥2.442
30￥2.156
100￥1.793
500￥1.639
1000￥1.540
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