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NT5CC256M16ER-EK

符合DDR3标准。 8n预取架构,差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS),DQs、DQS和DM上的双倍数据速率。 数据完整性:通过DRAM内置TS实现自动自刷新(ASR),具备自动刷新和自刷新模式,有节能模式和掉电模式。 信号完整性:可配置DS以实现系统兼容性,可配置片上终端,通过外部ZQ焊盘(240欧姆±1%)进行ZQ校准以确保DS/ODT阻抗精度,具备信号同步,通过MR设置进行写电平校准,通过MPR进行读电平校准。
产品型号NT5CC256M16ER-EK
品牌Nanya(南亚科技)
包装圆盘
描述符合DDR3标准。 8n预取架构,差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS),DQs、DQS和DM上的双倍数据速率。 数据完整性:通过DRAM内置TS实现自动自刷新(ASR),具备自动刷新和自刷新模式,有节能模式和掉电模式。 信号完整性:可配置DS以实现系统兼容性,可配置片上终端,通过外部ZQ焊盘(240欧姆±1%)进行ZQ校准以确保DS/ODT阻抗精度,具备信号同步,通过MR设置进行写电平校准,通过MPR进行读电平校准。
MR编号M616872376
交货地国内
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产品属性
类型描述
商品目录集成电路(IC) 存储器 DDR SDRAM
包装圆盘
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态不符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
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现货:300
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制造商标准包装数量
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