产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
类型N沟道
封装SOT-563
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on))700mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)180mW
阈值电压(Vgs(th))1.1V@250uA
栅极电荷量(Qg)800pC@4.5V
反向传输电容(Crss)10pF
输入电容(Ciss)33pF
输出电容(Coss)20pF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：3000近期成交量:0单
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