YJP200G06A
1个N沟道 耐压:60V 电流:200A产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装管
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
封装TO-220
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))3.6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)260W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)86nC@10V
反向传输电容(Crss)85pF@25V
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)5.95nF@25V
输出电容(Coss)1.25nF
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：263近期成交量:0单
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