CSD17577Q3A_TI(德州仪器)中文资料_英文资料_价格_PDF手册
2024-06-23 16:10:59
阅读量:52
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
1 特性
• 低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
2 应用范围
• 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
• 针对控制和同步 FET 应用进行了优化

3 说明
这款 30V,4.0mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。

CSD17577Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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