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CSD23203W_TI(德州仪器)中文资料_英文资料_价格_PDF手册
2024-06-25 10:43:35
阅读量:32

CSD23203W

采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

 

 

 

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1 特性

 

• 超低 Qg 和 Qgd

• 低导通电阻 RDS(on)

• 小尺寸

• 低厚度,0.62mm 高

• 无铅

• 符合 RoHS 环保标准

• 无卤素

• CSP 1mm × 1.5mm 晶圆级封装

 

 

 

2 应用

 

• 电池管理

• 负载开关

• 电池保护

 

                                                     


 

3 说明

 

这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计,能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最 低的导通电阻和栅极电荷。



                     

CSD23203W 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET