CSD23203W_TI(德州仪器)中文资料_英文资料_价格_PDF手册
2024-06-25 10:43:35
阅读量:32
采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
1 特性
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低导通电阻 RDS(on)
• 小尺寸
• 低厚度,0.62mm 高
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• CSP 1mm × 1.5mm 晶圆级封装
2 应用
• 电池管理
• 负载开关
• 电池保护

3 说明
这款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件经过设计,能够以具有出色散热特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封装提供最 低的导通电阻和栅极电荷。

CSD23203W 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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