CSD87502Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

1特性

•低导通电阻

•两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

•节省空间的小外形尺寸无引线(SON)2mm×2mm 塑料封装

•针对5V栅极驱动器而优化

•雪崩级

•无铅且无卤素

•符合RoHS环保标准

2应用范围

•用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器

•针对笔记本个人电脑(PC)和平板电脑的适配器或 USB输入保护

•电池保护

3说明

CSD87502Q2是一款30V、27mΩN沟道器件。它具 有两个独立的MOSFET，采用2mmx2mmSON塑 料封装。这两个场效应管(FET)采用半桥配置，适用 于同步降压等电源应用。此外，这些NexFET™功率 MOSFET还可用于适配器、USB输入保护和电池充电 应用。两个FET的漏源导通电阻均较低，可最大限度 地降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应 用。